KTX201E Todos los transistores

 

KTX201E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX201E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TESV
 

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KTX201E Datasheet (PDF)

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KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in TESV.(Thin Extreme Super mini type with 5 pin)Simplify circuit design. 1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a quantity of parts and manufacturing process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05_+B1 1.2 0.05C 0.503 4_+D

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 ktx201u.pdf pdf_icon

KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESBIncluding two devices in USV. B1(Ultra Super mini type with 5 leads)1 5DIM MILLIMETERS_Simplify circuit design. 2.00 0.20+A_2+1.3 0.1A1Reduce a quantity of parts and manufacturing process_+B 2.1 0.13 4 D_+B1 1.25 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0

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