KTX201E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTX201E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TESV

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KTX201E datasheet

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KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in TESV. (Thin Extreme Super mini type with 5 pin) Simplify circuit design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a quantity of parts and manufacturing process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3 4 _ + D

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KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES B Including two devices in USV. B1 (Ultra Super mini type with 5 leads) 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify circuit design. 2.00 0.20 + A _ 2 + 1.3 0.1 A1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process _ + B 2.1 0.1 3 4 D _ + B1 1.25 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0

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