KTX201E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX201E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TESV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX201E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX201E даташит

 ..1. Size:61K  kec
 ktx201e.pdf pdf_icon

KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in TESV. (Thin Extreme Super mini type with 5 pin) Simplify circuit design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a quantity of parts and manufacturing process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3 4 _ + D

 8.1. Size:61K  kec
 ktx201u.pdf pdf_icon

KTX201E

SEMICONDUCTOR KTX201U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES B Including two devices in USV. B1 (Ultra Super mini type with 5 leads) 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify circuit design. 2.00 0.20 + A _ 2 + 1.3 0.1 A1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process _ + B 2.1 0.1 3 4 D _ + B1 1.25 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0

Другие транзисторы: KTN2907AU, KTX101E, KTX101U, KTX102E, KTX102U, KTX103E, KTX111T, KTX112T, BC327, KTX201U, KTX215E, KTX216U, KTX301E, KTX301U, KTX302U, KTX303U, KTX311T