KTX811T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTX811T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TS6
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KTX811T Datasheet (PDF)
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SEMICONDUCTORKTX811TEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODETV Control board Application EK B KFEATURESDIM MILLIMETERS_One NPN Transistor (Q1)A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Two Switching Diode (D1, D2)_C 0.70 + 0.052 5_+D 0.4 0.1Low Saturation VoltageE 2.8+0.2/-0.3: VCE(sat) = 0.25V(Max)@ IC = 100mA, IB =
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
