KTX811T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTX811T

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TS6

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KTX811T datasheet

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KTX811T

SEMICONDUCTOR KTX811T EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE TV Control board Application E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ One NPN Transistor (Q1) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Two Switching Diode (D1, D2) _ C 0.70 + 0.05 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low Saturation Voltage E 2.8+0.2/-0.3 VCE(sat) = 0.25V(Max)@ IC = 100mA, IB =

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