Справочник транзисторов. KTX811T

 

Биполярный транзистор KTX811T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTX811T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TS6
 

 Аналог (замена) для KTX811T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX811T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  kec
 ktx811t.pdf pdf_icon

KTX811T

SEMICONDUCTORKTX811TEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODETV Control board Application EK B KFEATURESDIM MILLIMETERS_One NPN Transistor (Q1)A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Two Switching Diode (D1, D2)_C 0.70 + 0.052 5_+D 0.4 0.1Low Saturation VoltageE 2.8+0.2/-0.3: VCE(sat) = 0.25V(Max)@ IC = 100mA, IB =

Другие транзисторы... KTX402U , KTX403U , KTX411T , KTX412T , KTX421U , KTX511T , KTX512T , KTX711T , D209L , KTX955T , MJD112L , MJD117L , MJE13003HV , MJE13004D , MJE13005D , MJE13005DF , MJE13005F .

History: 2SC2460

 

 
Back to Top

 


 
.