KTX811T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTX811T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TS6

 Аналоги (замена) для KTX811T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX811T даташит

 ..1. Size:379K  kec
 ktx811t.pdf pdf_icon

KTX811T

SEMICONDUCTOR KTX811T EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE TV Control board Application E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ One NPN Transistor (Q1) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Two Switching Diode (D1, D2) _ C 0.70 + 0.05 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low Saturation Voltage E 2.8+0.2/-0.3 VCE(sat) = 0.25V(Max)@ IC = 100mA, IB =

Другие транзисторы: KTX402U, KTX403U, KTX411T, KTX412T, KTX421U, KTX511T, KTX512T, KTX711T, 8550, KTX955T, MJD112L, MJD117L, MJE13003HV, MJE13004D, MJE13005D, MJE13005DF, MJE13005F