KRA564E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRA564E  📄📄 

Código: PP

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TESV

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KRA564E datasheet

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KRA564E

SEMICONDUCTOR KRA560E KRA564E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _ + B1

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KRA564E

SEMICONDUCTOR KRA560U KRA564U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

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KRA564E

SEMICONDUCTOR KRA560F KRA564F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Thin Fine Pitch Super mini 5 pin Package. _ +

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