2N600 Todos los transistores

 

2N600 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N600
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO31
 

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2N600 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:395K  lrc
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2N600

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.1/5LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2N600Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Test Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage

 0.2. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N600

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