2N600 Todos los transistores

 

2N600 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N600

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO31

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2N600 datasheet

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2N600

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1/5 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2N600 Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage

Otros transistores... 2N5995 , 2N5996 , 2N5998 , 2N5999 , 2N59A , 2N59B , 2N59C , 2N60 , A42 , 2N6000 , 2N6001 , 2N6002 , 2N6003 , 2N6004 , 2N6005 , 2N6006 , 2N6007 .

History: MMST5551 | FF2484 | MMSTA42 | FMMT718

 

 

 


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