2N600 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N600

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO31

 Аналоги (замена) для 2N600

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N600 даташит

 0.1. Size:395K  lrc
 l2n600.pdf pdf_icon

2N600

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1/5 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2N600 Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage

 0.2. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N600

Другие транзисторы: 2N5995, 2N5996, 2N5998, 2N5999, 2N59A, 2N59B, 2N59C, 2N60, A42, 2N6000, 2N6001, 2N6002, 2N6003, 2N6004, 2N6005, 2N6006, 2N6007