2N6009 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6009
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO92
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2N6009 Datasheet (PDF)
2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf
l2n600.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.1/5LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2N600Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Test Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage
Otros transistores... 2N6001 , 2N6002 , 2N6003 , 2N6004 , 2N6005 , 2N6006 , 2N6007 , 2N6008 , 2N5401 , 2N601 , 2N6010 , 2N6011 , 2N6012 , 2N6013 , 2N6014 , 2N6015 , 2N6016 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050