Биполярный транзистор 2N6009 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6009
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
2N6009 Datasheet (PDF)
..1. Size:1285K sprague
2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf
2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf
9.1. Size:395K lrc
l2n600.pdf
l2n600.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.1/5LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2N600Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Test Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage
Другие транзисторы... 2N6001 , 2N6002 , 2N6003 , 2N6004 , 2N6005 , 2N6006 , 2N6007 , 2N6008 , 2N5401 , 2N601 , 2N6010 , 2N6011 , 2N6012 , 2N6013 , 2N6014 , 2N6015 , 2N6016 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050