KRC881T Todos los transistores

 

KRC881T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRC881T
   Código: MQB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
   Paquete / Cubierta: TS6
     - Selección de transistores por parámetros

 

KRC881T Datasheet (PDF)

 0.1. Size:386K  kec
 krc881t-krc886t.pdf pdf_icon

KRC881T

SEMICONDUCTOR KRC881T~KRC886TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.EK B KFEATURES DIM MILLIMETERS_High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)_C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Low on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)E 2.8

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD106 | 3DG12 | GF140 | KRC833E | DTA043XEB | FTC2878

 

 
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