KRC885T Todos los transistores

 

KRC885T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRC885T
   Código: MUB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
   Paquete / Cubierta: TS6

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KRC885T Datasheet (PDF)

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KRC885T

SEMICONDUCTOR KRC881T KRC886T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) E 2.8

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History: KRA759E | 2N3225 | KT6108A | KRC851F | KS6111 | ASY56 | KRC827F

 

 
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