H2N4401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H2N4401
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-92
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H2N4401 datasheet
h2n4401.pdf
Spec. No. HE6215 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.22 Revised Date 2002.02.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4401 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4403 High Power Dissipation 625 mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150
h2n4403.pdf
Spec. No. HE6221 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4403 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4401 High Power Dissipation 625mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150m
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