Справочник транзисторов. H2N4401

 

Биполярный транзистор H2N4401 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H2N4401
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для H2N4401

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N4401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  hsmc
 h2n4401.pdf pdf_icon

H2N4401

Spec. No. : HE6215HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.22Revised Date : 2002.02.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N4401NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications.FeaturesTO-92 Complementary to H2N4403 High Power Dissipation: 625 mW at 25C High DC Current Gain: 100-300 at 150

 8.1. Size:53K  hsmc
 h2n4403.pdf pdf_icon

H2N4401

Spec. No. : HE6221HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N4403PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications.FeaturesTO-92 Complementary to H2N4401 High Power Dissipation: 625mW at 25C High DC Current Gain: 100-300 at 150m

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.