H2N4401 - описание и поиск аналогов

 

H2N4401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N4401

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для H2N4401

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N4401 даташит

 ..1. Size:53K  hsmc
 h2n4401.pdf pdf_icon

H2N4401

Spec. No. HE6215 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.22 Revised Date 2002.02.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4401 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4403 High Power Dissipation 625 mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150

 8.1. Size:53K  hsmc
 h2n4403.pdf pdf_icon

H2N4401

Spec. No. HE6221 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4403 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4401 High Power Dissipation 625mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150m

Другие транзисторы... MMBT4403WT1 , MMBT5551DW1T1 , MMBT5551WT1 , MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , 2N5401 , H2N4403 , H2N5087 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.