H2N5401 Todos los transistores

 

H2N5401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2N5401
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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H2N5401 datasheet

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H2N5401

Spec. No. HE6203 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.22 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. TO-92 Features Complements to NPN Type H2N5551 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA))

Otros transistores... MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , H2N5087 , TIP41 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 , HA8050S .

 

 

 


 
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