H2N5401 - описание и поиск аналогов

 

H2N5401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N5401

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для H2N5401

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N5401 даташит

 ..1. Size:52K  hsmc
 h2n5401.pdf pdf_icon

H2N5401

Spec. No. HE6203 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.22 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. TO-92 Features Complements to NPN Type H2N5551 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA))

Другие транзисторы... MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , H2N5087 , TIP41 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 , HA8050S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.