Справочник транзисторов. H2N5401

 

Биполярный транзистор H2N5401 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H2N5401
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для H2N5401

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 h2n5401.pdf pdf_icon

H2N5401

Spec. No. : HE6203HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.22Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5401PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N5401 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.TO-92Features Complements to NPN Type H2N5551 High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA))

Другие транзисторы... MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , H2N5087 , A1015 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 , HA8050S .

 

 
Back to Top

 


 
.