HA3669 Todos los transistores

 

HA3669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HA3669
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 240
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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HA3669 Datasheet (PDF)

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HA3669

Spec. No. : HA200210HI-SINCERITYIssued Date : 2000.11.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HA3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-92Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature.......................

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: RCS617 | 3DG101 | BSV23M

 

 
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