HA3669 Todos los transistores

 

HA3669 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HA3669
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 240
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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HA3669 datasheet

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HA3669

Spec. No. HA200210 HI-SINCERITY Issued Date 2000.11.01 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HA3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-92 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature.......................

Otros transistores... H2N4403 , H2N5087 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , A1015 , HA8050 , HA8050S , HA8550 , HA8550S , HBC517 , HBC847 , HBC848 , HBC856 .

 

 

 


 
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