HA3669 - описание и поиск аналогов

 

HA3669. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA3669

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 240

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HA3669

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HA3669 даташит

 ..1. Size:45K  hsmc
 ha3669.pdf pdf_icon

HA3669

Spec. No. HA200210 HI-SINCERITY Issued Date 2000.11.01 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HA3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-92 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature.......................

Другие транзисторы... H2N4403 , H2N5087 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , A1015 , HA8050 , HA8050S , HA8550 , HA8550S , HBC517 , HBC847 , HBC848 , HBC856 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.