HA8050 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HA8050
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de HA8050
HA8050 Datasheet (PDF)
ha8050.pdf

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ha8050s.pdf

Spec. No. : HE6116HI-SINCERITYIssued Date : 1997.09.08Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HA8050SNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA8550S is designed for general purpose amplifier applications.TO-92Features High DC Current Gain (hFE=100~500 at IC=150mA) Complementary to HA8550SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatu
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History: K8050S-B
History: K8050S-B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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