Справочник транзисторов. HA8050

 

Биполярный транзистор HA8050 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HA8050
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для HA8050

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HA8050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  hsmc
 ha8050.pdf pdf_icon

HA8050

Spec. No. : HE6107HI-SINCERITYIssued Date : 1998.09.05Revised Date : 2004.11.29MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HA8050NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class Bpush-pull operation.TO-92Features High total power dissipation (PT: 2W, TC=25C) High collector current (IC: 1.5A)

 0.1. Size:54K  hsmc
 ha8050s.pdf pdf_icon

HA8050

Spec. No. : HE6116HI-SINCERITYIssued Date : 1997.09.08Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HA8050SNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HA8550S is designed for general purpose amplifier applications.TO-92Features High DC Current Gain (hFE=100~500 at IC=150mA) Complementary to HA8550SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatu

Другие транзисторы... H2N5087 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , 2N3906 , HA8050S , HA8550 , HA8550S , HBC517 , HBC847 , HBC848 , HBC856 , HBD437T .

History: KTC9011 | 2N1309 | PZT194 | GT322E | 40458 | 2N160A | 2SD965K

 

 
Back to Top

 


 
.