HBC856 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HBC856
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 115
Paquete / Cubierta: SOT-23
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HBC856 Datasheet (PDF)
hbc856.pdf
Spec. No. : HE6832HI-SINCERITYIssued Date : 1994.02.03Revised Date : 2004.09.01MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBC856PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable forautomatic insertion in thick and thin-film circuits.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SB827R
History: 2SB827R
Liste
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