HBC856 Todos los transistores

 

HBC856 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBC856

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 115

Encapsulados: SOT-23

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HBC856 datasheet

 ..1. Size:38K  hsmc
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HBC856

Spec. No. HE6832 HI-SINCERITY Issued Date 1994.02.03 Revised Date 2004.09.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBC856 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.

Otros transistores... HA3669 , HA8050 , HA8050S , HA8550 , HA8550S , HBC517 , HBC847 , HBC848 , 2N3906 , HBD437T , HBD438T , HBF422 , HBF423 , HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 .

 

 

 


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