HBC856 - описание и поиск аналогов

 

HBC856. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBC856

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 115

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для HBC856

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBC856 даташит

 ..1. Size:38K  hsmc
 hbc856.pdf pdf_icon

HBC856

Spec. No. HE6832 HI-SINCERITY Issued Date 1994.02.03 Revised Date 2004.09.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBC856 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.

Другие транзисторы: HA3669, HA8050, HA8050S, HA8550, HA8550S, HBC517, HBC847, HBC848, 2N3906, HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550

 

 

 

 

↑ Back to Top
.