Справочник транзисторов. HBC856

 

Биполярный транзистор HBC856 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBC856
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 115
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HBC856

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBC856 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  hsmc
 hbc856.pdf pdf_icon

HBC856

Spec. No. : HE6832HI-SINCERITYIssued Date : 1994.02.03Revised Date : 2004.09.01MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBC856PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable forautomatic insertion in thick and thin-film circuits.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.

Другие транзисторы... HA3669 , HA8050 , HA8050S , HA8550 , HA8550S , HBC517 , HBC847 , HBC848 , 13003 , HBD437T , HBD438T , HBF422 , HBF423 , HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 .

History: 2SA1588-GR

 

 
Back to Top

 


 
.