HD122 Todos los transistores

 

HD122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD122
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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HD122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  hsmc
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HD122

Spec. No. : HD200101HI-SINCERITYIssued Date : 1998.12.01Revised Date : 2006.07.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HD122NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTORDescriptionThe HD122 is designed for medium power linear and switching applications.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................

 0.1. Size:148K  china
 fhd122.pdf pdf_icon

HD122

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

Otros transistores... HBC517 , HBC847 , HBC848 , HBC856 , HBD437T , HBD438T , HBF422 , HBF423 , S8050 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 .

History: 2SB653

 

 
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