HD122 Todos los transistores

 

HD122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD122

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000

Empaquetado / Estuche: TO-126ML

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HD122

 

HD122 Datasheet (PDF)

0.1. hd122.pdf Size:61K _hsmc

HD122
HD122

Spec. No. : HD200101HI-SINCERITYIssued Date : 1998.12.01Revised Date : 2006.07.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HD122NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTORDescriptionThe HD122 is designed for medium power linear and switching applications.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................

0.2. fhd122.pdf Size:148K _china

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FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 

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