Биполярный транзистор HD122 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HD122
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-126ML
Аналог (замена) для HD122
HD122 Datasheet (PDF)
hd122.pdf

Spec. No. : HD200101HI-SINCERITYIssued Date : 1998.12.01Revised Date : 2006.07.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HD122NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTORDescriptionThe HD122 is designed for medium power linear and switching applications.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................
fhd122.pdf

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 3DA2073
History: 3DA2073



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor