HD122 - описание и поиск аналогов

 

HD122. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD122

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-126ML

 Аналоги (замена) для HD122

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HD122 даташит

 ..1. Size:61K  hsmc
 hd122.pdf pdf_icon

HD122

Spec. No. HD200101 HI-SINCERITY Issued Date 1998.12.01 Revised Date 2006.07.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HD122 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Description The HD122 is designed for medium power linear and switching applications. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...................................

 0.1. Size:148K  china
 fhd122.pdf pdf_icon

HD122

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

Другие транзисторы: HBC517, HBC847, HBC848, HBC856, HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, 13003, HE8050, HE8050S, HE8550, HE8550S, HE9014, HE9015, HI10387, HI112

 

 

 

 

↑ Back to Top
.