HI10387 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI10387  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: TO-251

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HI10387 datasheet

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HI10387

Spec. No. HE9028 HI-SINCERITY Issued Date 1994.01.25 Revised Date 2004.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI10387 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................

Otros transistores... HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, HE8550S, HE9014, HE9015, 2SC4793, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A