HI10387 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI10387
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI10387
HI10387 Datasheet (PDF)
hi10387.pdf
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Spec. No. : HE9028HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switchingapplications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .