HI10387 Todos los transistores

 

HI10387 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI10387
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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HI10387 Datasheet (PDF)

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HI10387

Spec. No. : HE9028HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switchingapplications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................

Otros transistores... HBF423 , HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , MJE340 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A .

 

 
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