HI10387 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI10387
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO-251
- Selección de transistores por parámetros
HI10387 Datasheet (PDF)
hi10387.pdf

Spec. No. : HE9028HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switchingapplications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: AFY31 | DTS2003 | HUN5116 | 2SD1074 | 2SC2408 | BU931ZP | ESM2894
History: AFY31 | DTS2003 | HUN5116 | 2SD1074 | 2SC2408 | BU931ZP | ESM2894



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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