HI10387 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HI10387  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO-251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HI10387

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI10387 даташит

 ..1. Size:46K  hsmc
 hi10387.pdf pdf_icon

HI10387

Spec. No. HE9028 HI-SINCERITY Issued Date 1994.01.25 Revised Date 2004.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI10387 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................

Другие транзисторы: HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, HE8550S, HE9014, HE9015, 2SC4793, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A