Справочник транзисторов. HI10387

 

Биполярный транзистор HI10387 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI10387
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI10387

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI10387 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hsmc
 hi10387.pdf pdf_icon

HI10387

Spec. No. : HE9028HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI10387 is designed for general-purpose amplifier and low-speed switchingapplications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................

Другие транзисторы... HBF423 , HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , MJE340 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A .

History: AD150

 

 
Back to Top

 


 
.