HI112 Todos los transistores

 

HI112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de HI112

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HI112 datasheet

 ..1. Size:57K  hsmc
hi112.pdf pdf_icon

HI112

Spec. No. HE9033 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.12.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................

Otros transistores... HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , MJE340 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 .

History: RN2968

 

 

 


 
↑ Back to Top
.