HI112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI112
HI112 Datasheet (PDF)
hi112.pdf
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Spec. No. : HE9033HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.12.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .