HI112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de HI112
HI112 datasheet
hi112.pdf
Spec. No. HE9033 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.12.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................
Otros transistores... HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , MJE340 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 .
History: RN2968
History: RN2968
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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