Справочник транзисторов. HI112

 

Биполярный транзистор HI112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-251
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HI112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  hsmc
 hi112.pdf pdf_icon

HI112

Spec. No. : HE9033HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.12.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: AF275 | PBSS305ND | 2SA940A | IT126 | BC817-40 | D45VH4 | BC848BDW

 

 
Back to Top

 


 
.