HI112 - описание и поиск аналогов

 

HI112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HI112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для HI112

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI112 даташит

 ..1. Size:57K  hsmc
 hi112.pdf pdf_icon

HI112

Spec. No. HE9033 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.12.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................

Другие транзисторы: HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , MJE340 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 .

History: HMPSA92

 

 

 

 

↑ Back to Top
.