Справочник транзисторов. HI112

 

Биполярный транзистор HI112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  hsmc
 hi112.pdf pdf_icon

HI112

Spec. No. : HE9033HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.12.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Другие транзисторы... HD122 , HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , 2SA1837 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 .

History: KTC3198 | BTA733A3 | UPT612 | 2S178

 

 
Back to Top

 


 
.