Биполярный транзистор HI112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HI112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-251
HI112 Datasheet (PDF)
..1. Size:57K hsmc
hi112.pdf
hi112.pdf
Spec. No. : HE9033HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.12.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050