HI117 Todos los transistores

 

HI117 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI117
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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HI117 datasheet

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HI117

Spec. No. HE9031 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 The HI117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperatur

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