Справочник транзисторов. HI117

 

Биполярный транзистор HI117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI117
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI117

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
 hi117.pdf pdf_icon

HI117

Spec. No. : HE9031HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251The HI117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temperatur

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSW22A | 40457 | 40465 | 3DA10A | MMBT2907AK | CD2328O | 2SC3478A

 

 
Back to Top

 


 
.