Справочник транзисторов. HI117

 

Биполярный транзистор HI117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI117
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI117

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
 hi117.pdf pdf_icon

HI117

Spec. No. : HE9031HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HI117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251The HI117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temperatur

Другие транзисторы... HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , 2N2222A , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 .

History: 2STF1360 | 2N6251 | D32W10 | DRA5A15E | 2SAR542P | 2N6575 | 3DA608

 

 
Back to Top

 


 
.