HI117 - описание и поиск аналогов

 

HI117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HI117

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для HI117

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI117 даташит

 ..1. Size:51K  hsmc
 hi117.pdf pdf_icon

HI117

Spec. No. HE9031 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 The HI117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperatur

Другие транзисторы... HE8050 , HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , 2SC1815 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 .

History: HS600K | HS882 | HM5401

 

 

 

 

↑ Back to Top
.