HI122 Todos los transistores

 

HI122 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI122

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 130 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-251

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HI122 datasheet

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HI122

Spec. No. HI200102 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HI122 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 The HI122 is designed of general purpose and low speed switching applications. Darlington Schematic C Features High DC current gain B Bult-in a damper diode at E-C R1 R2 E Absolute Maximum

Otros transistores... HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , BD335 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 .

History: 2SD1340

 

 

 

 

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