HI122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI122
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 130 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI122
HI122 Datasheet (PDF)
hi122.pdf
Spec. No. : HI200102HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HI122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251The HI122 is designed of general purpose and low speed switching applications. Darlington SchematicCFeatures High DC current gainB Bult-in a damper diode at E-CR1 R2EAbsolute Maximum
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: PMD2495
History: PMD2495
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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