HI122 - описание и поиск аналогов

 

HI122. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HI122

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для HI122

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI122 даташит

 ..1. Size:35K  hsmc
 hi122.pdf pdf_icon

HI122

Spec. No. HI200102 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HI122 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 The HI122 is designed of general purpose and low speed switching applications. Darlington Schematic C Features High DC current gain B Bult-in a damper diode at E-C R1 R2 E Absolute Maximum

Другие транзисторы: HE8050S , HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , BD335 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 .

History: HMJE13003 | HSB857J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.