Биполярный транзистор HI122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HI122
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-251
HI122 Datasheet (PDF)
..1. Size:35K hsmc
hi122.pdf
hi122.pdf
Spec. No. : HI200102HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HI122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251The HI122 is designed of general purpose and low speed switching applications. Darlington SchematicCFeatures High DC current gainB Bult-in a damper diode at E-CR1 R2EAbsolute Maximum
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
