Биполярный транзистор HI122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HI122
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-251
HI122 Datasheet (PDF)
..1. Size:35K hsmc
hi122.pdf
hi122.pdf
Spec. No. : HI200102HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HI122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251The HI122 is designed of general purpose and low speed switching applications. Darlington SchematicCFeatures High DC current gainB Bult-in a damper diode at E-CR1 R2EAbsolute Maximum
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050