HI127 Todos los transistores

 

HI127 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI127

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-251

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HI127 datasheet

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HI127

Spec. No. HE9017 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HI127 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 High DC current gain Bult-in a damper diode at E-C Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures R1 R2 Storage Temperature ...............................

Otros transistores... HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , A940 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 .

 

 

 

 

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