HI127 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HI127
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI127

HI127 Datasheet (PDF)

..1. Size:35K hsmc
hi127.pdf

Spec. No. : HE9017HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.12Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HI127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-251 High DC current gain Bult-in a damper diode at E-C Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesR1 R2Storage Temperature ...............................

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DDTC123JCA | UN6116R

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050