HI127 - описание и поиск аналогов

 

HI127. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HI127

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для HI127

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI127 даташит

 ..1. Size:35K  hsmc
hi127.pdfpdf_icon

HI127

Spec. No. HE9017 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HI127 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-251 High DC current gain Bult-in a damper diode at E-C Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures R1 R2 Storage Temperature ...............................

Другие транзисторы: HE8550 , HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , A940 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 .

History: HMJE2955T | HMPSA94

 

 

 

 

↑ Back to Top
.