HI13003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI13003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 21 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de HI13003
HI13003 Datasheet (PDF)
hi13003.pdf

Spec. No. : HE9034HI-SINCERITYIssued Date : 1999.03.17Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI13003NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThese devices are designed for high-voltage, high-speed power switchinginductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and220V switchmode applications such as Switching Regul
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History: SBT5551 | 2SD900B



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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