HI13003 - описание и поиск аналогов

 

HI13003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HI13003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для HI13003

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI13003 даташит

 ..1. Size:50K  hsmc
hi13003.pdfpdf_icon

HI13003

Spec. No. HE9034 HI-SINCERITY Issued Date 1999.03.17 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI13003 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as Switching Regul

Другие транзисторы: HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , B772 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 .

History: HMJE13003 | HMPSA92

 

 

 

 

↑ Back to Top
.