HI13003. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HI13003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO-251
Аналоги (замена) для HI13003
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
HI13003 даташит
hi13003.pdf
Spec. No. HE9034 HI-SINCERITY Issued Date 1999.03.17 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI13003 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as Switching Regul
Другие транзисторы: HE8550S , HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , B772 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 .
History: HMJE13003 | HMPSA92
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet

