HI3669 Todos los transistores

 

HI3669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI3669
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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HI3669 Datasheet (PDF)

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HI3669

Spec. No. : HE9029HI-SINCERITYIssued Date : 1997.11.14Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature........................

Otros transistores... HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , BC546 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 .

History: HA22J | ACY13 | BCP56-16T3G

 

 
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