HI3669 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI3669  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO-251

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HI3669 datasheet

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HI3669

Spec. No. HE9029 HI-SINCERITY Issued Date 1997.11.14 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature........................

Otros transistores... HE9014, HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, 2SA1837, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122