HI3669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI3669
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI3669
HI3669 Datasheet (PDF)
hi3669.pdf
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Spec. No. : HE9029HI-SINCERITYIssued Date : 1997.11.14Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature........................
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .