HI3669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI3669
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HI3669
HI3669 Datasheet (PDF)
hi3669.pdf
Spec. No. : HE9029HI-SINCERITYIssued Date : 1997.11.14Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature........................
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050