HI3669 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HI3669  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HI3669

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI3669 даташит

 ..1. Size:45K  hsmc
 hi3669.pdf pdf_icon

HI3669

Spec. No. HE9029 HI-SINCERITY Issued Date 1997.11.14 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature........................

Другие транзисторы: HE9014, HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, 2SA1837, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122