Справочник транзисторов. HI3669

 

Биполярный транзистор HI3669 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI3669
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI3669

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI3669 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  hsmc
 hi3669.pdf pdf_icon

HI3669

Spec. No. : HE9029HI-SINCERITYIssued Date : 1997.11.14Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature........................

Другие транзисторы... HE9014 , HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , BC546 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 .

History: RT2N14M | BUV71F | CV7764L-O | RN2130FV

 

 
Back to Top

 


 
.