HI649A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HI649A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-251

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HI649A datasheet

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HI649A

Spec. No. HE9003 HI-SINCERITY Issued Date 1998.01.25 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI649A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI649A is designed for low frequency power amplifier. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................

Otros transistores... HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, BC546, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127