HI649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI649A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de HI649A
HI649A Datasheet (PDF)
hi649a.pdf

Spec. No. : HE9003HI-SINCERITYIssued Date : 1998.01.25Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI649APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI649A is designed for low frequency power amplifier.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................
Otros transistores... HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , 8050 , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 .
History: KRC651U | BFP519V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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