HI649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI649A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO-251
- Selección de transistores por parámetros
HI649A Datasheet (PDF)
hi649a.pdf

Spec. No. : HE9003HI-SINCERITYIssued Date : 1998.01.25Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI649APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI649A is designed for low frequency power amplifier.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PUMH19 | DDTA124EE | BCV61B | FC108 | 2SD882U-E | 2SC5846 | KSD986
History: PUMH19 | DDTA124EE | BCV61B | FC108 | 2SD882U-E | 2SC5846 | KSD986



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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