HI649A Todos los transistores

 

HI649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HI649A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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HI649A Datasheet (PDF)

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HI649A

Spec. No. : HE9003HI-SINCERITYIssued Date : 1998.01.25Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI649APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI649A is designed for low frequency power amplifier.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................

Otros transistores... HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , 8050 , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 .

History: KRC651U | BFP519V

 

 
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