HI649A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HI649A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HI649A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI649A даташит

 ..1. Size:43K  hsmc
 hi649a.pdf pdf_icon

HI649A

Spec. No. HE9003 HI-SINCERITY Issued Date 1998.01.25 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HI649A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI649A is designed for low frequency power amplifier. TO-251 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................

Другие транзисторы: HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, BC546, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127