Справочник транзисторов. HI649A

 

Биполярный транзистор HI649A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI649A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI649A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  hsmc
 hi649a.pdf pdf_icon

HI649A

Spec. No. : HE9003HI-SINCERITYIssued Date : 1998.01.25Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HI649APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HI649A is designed for low frequency power amplifier.TO-251Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................

Другие транзисторы... HE9015 , HI10387 , HI112 , HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , 8050 , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 .

History: BF196PL | KRC651U | BFP519V

 

 
Back to Top

 


 
.