HI882 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HI882 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 90 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-251
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de HI882
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HI882 datasheet
hi882.pdf
Spec. No. HE9014 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI882 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI882 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, TO-251 DC-DC converter and relay driver. Absolute Maximum Ratings (T =25 C) A Maximum Temperatures S
Otros transistores... HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, HI772, 8050, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03

