Справочник транзисторов. HI882

 

Биполярный транзистор HI882 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HI882
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-251
 

 Аналог (замена) для HI882

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI882 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  hsmc
 hi882.pdf pdf_icon

HI882

Spec. No. : HE9014 HI-SINCERITY Issued Date : 1996.04.12 Revised Date : 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HI882 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI882 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, TO-251 DC-DC converter and relay driver. Absolute Maximum Ratings (T =25C) A Maximum Temperatures S

Другие транзисторы... HI117 , HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , TIP31 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A .

History: BLV194 | BLS2731-110 | D45VH4 | MPS6571 | LDTA143TET1G | MPSW45A | MMBR920

 

 
Back to Top

 


 
.