HJ10387 Todos los transistores

 

HJ10387 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ10387

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: TO-252

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HJ10387 datasheet

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HJ10387

Spec. No. HE6028 HI-SINCERITY Issued Date 1997.06.24 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ10387 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ10387 is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................

Otros transistores... HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , BC558 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A .

History: BLT13

 

 

 

 

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