Справочник транзисторов. HJ10387

 

Биполярный транзистор HJ10387 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ10387
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для HJ10387

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ10387 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  hsmc
 hj10387.pdf pdf_icon

HJ10387

Spec. No. : HE6028HI-SINCERITYIssued Date : 1997.06.24Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ10387 is designed for general purpose amplifier and low speed switchingapplications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................

Другие транзисторы... HI122 , HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , 9014 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A .

 

 
Back to Top

 


 
.