Справочник транзисторов. HJ10387

 

Биполярный транзистор HJ10387 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ10387
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HJ10387 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  hsmc
 hj10387.pdf pdf_icon

HJ10387

Spec. No. : HE6028HI-SINCERITYIssued Date : 1997.06.24Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ10387NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ10387 is designed for general purpose amplifier and low speed switchingapplications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..............................

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: TA1797 | TD13005SMD | 2N2958S | PU3117 | DT1610 | GI2716 | ECG313

 

 
Back to Top

 


 
.