HJ10387 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ10387  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ10387

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ10387 даташит

 ..1. Size:50K  hsmc
 hj10387.pdf pdf_icon

HJ10387

Spec. No. HE6028 HI-SINCERITY Issued Date 1997.06.24 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ10387 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ10387 is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................

Другие транзисторы: HI122, HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, HI772, HI882, BC558, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A