HJ112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HJ112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HJ112
HJ112 Datasheet (PDF)
hj112.pdf

Spec. No. : HE6030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................
Otros transistores... HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , 2SD2499 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 .
History: 3DD4206 | 2SC1478 | 2SC2142
History: 3DD4206 | 2SC1478 | 2SC2142



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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