HJ112 Todos los transistores

 

HJ112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HJ112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de HJ112

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HJ112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  hsmc
hj112.pdf pdf_icon

HJ112

Spec. No. : HE6030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Otros transistores... HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , 2SD2499 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 .

History: 3DD4206 | 2SC1478 | 2SC2142

 

 
Back to Top

 


 
.