HJ112 Todos los transistores

 

HJ112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HJ112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HJ112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  hsmc
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HJ112

Spec. No. : HE6030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BF176 | BCM846BS | KZT491 | BC451A | CL151-3B | 2N715 | 2N361

 

 
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