HJ112 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ112 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-252

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HJ112 datasheet

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Spec. No. HE6030 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................

Otros transistores... HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, TIP31, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772

HJ112 Datasheet. Equivalente