Справочник транзисторов. HJ112

 

Биполярный транзистор HJ112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HJ112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  hsmc
 hj112.pdf pdf_icon

HJ112

Spec. No. : HE6030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BCR135 | KT606A | BUV28 | 2SD336 | DTB113ES | 2SC2509 | BC856BT

 

 
Back to Top

 


 
.