HJ112 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ112  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ112 даташит

 ..1. Size:58K  hsmc
 hj112.pdf pdf_icon

HJ112

Spec. No. HE6030 HI-SINCERITY Issued Date 1998.07.01 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................

Другие транзисторы: HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, TIP31, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772