Справочник транзисторов. HJ112

 

Биполярный транзистор HJ112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для HJ112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  hsmc
 hj112.pdf pdf_icon

HJ112

Spec. No. : HE6030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................

Другие транзисторы... HI127 , HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , 2SD2499 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 .

History: 3DD4206 | 2SC1478 | 2SC2142

 

 
Back to Top

 


 
.