HJ117 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HJ117
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HJ117
HJ117 Datasheet (PDF)
hj117.pdf
Spec. No. : HE6031HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HJ117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription TO-252The HJ117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temperature
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: HT117
History: HT117
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D