HJ117 Todos los transistores

 

HJ117 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ117

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-252

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HJ117 datasheet

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HJ117

Spec. No. HE6031 HI-SINCERITY Issued Date 1998.02.01 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HJ117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-252 The HJ117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperature

Otros transistores... HI13003 , HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , TIP127 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 , HJ882 .

 

 

 

 

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