Справочник транзисторов. HJ117

 

Биполярный транзистор HJ117 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HJ117
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для HJ117

 

 

HJ117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  hsmc
 hj117.pdf

HJ117 HJ117

Spec. No. : HE6031HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HJ117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription TO-252The HJ117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temperature

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top