HJ117 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ117  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ117

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ117 даташит

 ..1. Size:47K  hsmc
 hj117.pdf pdf_icon

HJ117

Spec. No. HE6031 HI-SINCERITY Issued Date 1998.02.01 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HJ117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-252 The HJ117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperature

Другие транзисторы: HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, TIP127, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772, HJ882