HJ122 Todos los transistores

 

HJ122 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ122

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-252

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HJ122 datasheet

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HJ122

Spec. No. HE6009 HI-SINCERITY Issued Date 1996.02.03 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ122 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-252 The HJ122 is designed for use in general purposes and low speed switching applications. Darlington Schematic C Features B High DC current gain Built-in a damper diode at E-C R1 R2 E Absolute

Otros transistores... HI3669 , HI649A , HI669A , HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , 2SD313 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 , HJ882 , HLB120A .

 

 

 

 

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