HJ122 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ122  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ122

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ122 даташит

 ..1. Size:50K  hsmc
 hj122.pdf pdf_icon

HJ122

Spec. No. HE6009 HI-SINCERITY Issued Date 1996.02.03 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ122 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-252 The HJ122 is designed for use in general purposes and low speed switching applications. Darlington Schematic C Features B High DC current gain Built-in a damper diode at E-C R1 R2 E Absolute

Другие транзисторы: HI3669, HI649A, HI669A, HI772, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, 2SD313, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772, HJ882, HLB120A