Справочник транзисторов. HJ122

 

Биполярный транзистор HJ122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HJ122
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для HJ122

 

 

HJ122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  hsmc
 hj122.pdf

HJ122 HJ122

Spec. No. : HE6009HI-SINCERITYIssued Date : 1996.02.03Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HJ122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription TO-252The HJ122 is designed for use in general purposes and low speed switchingapplications. Darlington SchematicCFeaturesB High DC current gain Built-in a damper diode at E-CR1 R2EAbsolute

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top