HJ3669 Todos los transistores

 

HJ3669 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ3669

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de HJ3669

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HJ3669 datasheet

 ..1. Size:46K  hsmc
hj3669.pdf pdf_icon

HJ3669

Spec. No. HE6029 HI-SINCERITY Issued Date 1997.10.24 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HJ3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature........................

Otros transistores... HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , SS8050 , HJ667A , HJ669A , HJ772 , HJ882 , HLB120A , HLB121A , HLB121D , HLB121I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.