HJ3669 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HJ3669
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 300
Encapsulados: TO-252
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HJ3669 datasheet
hj3669.pdf
Spec. No. HE6029 HI-SINCERITY Issued Date 1997.10.24 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HJ3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature........................
Otros transistores... HI772 , HI882 , HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , SS8050 , HJ667A , HJ669A , HJ772 , HJ882 , HLB120A , HLB121A , HLB121D , HLB121I .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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